mis603写DDR3数据FIFO满标志

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当我按键触发后，开始进入写DDR3状态，突发长度为64，第一次写，数据个数写到128，mcb_wr_full拉高。理论上应该写到64才拉高，不知道为什么？到后面进行写操作时，都是写到64,mcb_wr_full再拉高。如图所示：

         第一次写

         第二次写

写过程状态机代码如下：

            'd0: if ( c3_calib_done == 1'b1 && key_wr_r == 2'b10 )
                     state <= 'd1;
            'd1: if ( mcb_cmd_full == 1'b0 )
                     begin
                     mcb_cmd_instr <= 3'b000;
                     mcb_cmd_en <= 1'b0;
                     mcb_cmd_bl <= 'd63;
                     state <= 'd2;
                     app_wr_addr <= app_wr_addr_r;

                     end
                  else begin
                     state <= 'd1;
                     mcb_cmd_en <= 1'b0;
                     end
            'd2: if ( mcb_cmd_full == 1'b0 )
                     begin
                     mcb_cmd_en <= 1'b1;
                     state <= 'd3;
                     wr_start_flag <= 1'b1;
                     end

            'd3: begin
                  mcb_cmd_en <= 1'b0;
                  if ( write_data_end == 1'b1 )
                     begin
                     wr_start_flag <= 1'b0;
                     app_wr_addr_r <= app_wr_addr_r + 'd1024;
                     //state <= 'd4;
                     state <= 'd1;
                     end
                  end

uisrc · 发表于 2016-2-20 13:09:14

程序不全，写详细一点，这个基本可以判断和MCB内部的结构工作方式有关系，你程序写详细先，我帮你分下下。

geekite · 发表于 2016-2-22 13:14:29

admin 发表于 2016-2-20 13:09
程序不全，写详细一点，这个基本可以判断和MCB内部的结构工作方式有关系，你程序写详细先，我帮你分下下。{ ...

已经弄好了，谢啦，汤工

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