mis603写DDR3数据FIFO满标志

当我按键触发后，开始进入写DDR3状态，突发长度为64，第一次写，数据个数写到128，mcb_wr_full拉高。理论上应该写到64才拉高，不知道为什么？到后面进行写操作时，都是写到64,mcb_wr_full再拉高。如图所示：

             第一次写

             第二次写


写过程状态机代码如下：

               'd0: if ( c3_calib_done == 1'b1 && key_wr_r == 2'b10 )
                         state <= 'd1;
               'd1: if ( mcb_cmd_full == 1'b0 )
                         begin
                         mcb_cmd_instr <= 3'b000;
                         mcb_cmd_en <= 1'b0;
                         mcb_cmd_bl <= 'd63;
                         state <= 'd2;
                         app_wr_addr <= app_wr_addr_r;  

                         end        
                    else begin
                         state <= 'd1;
                         mcb_cmd_en <= 1'b0;
                         end     
               'd2: if ( mcb_cmd_full == 1'b0 )
                         begin
                         mcb_cmd_en <= 1'b1;
                         state <= 'd3;
                         wr_start_flag <= 1'b1;
                         end   

               'd3: begin   
                    mcb_cmd_en <= 1'b0;
                    if ( write_data_end == 1'b1 )
                         begin
                         wr_start_flag <= 1'b0;
                         app_wr_addr_r <= app_wr_addr_r + 'd1024;
                         //state <= 'd4;
                         state <= 'd1;
                         end
                    end

程序不全，写详细一点，这个基本可以判断和MCB内部的结构工作方式有关系，你程序写详细先，我帮你分下下。

admin 发表于 2016-2-20 13:09
程序不全，写详细一点，这个基本可以判断和MCB内部的结构工作方式有关系，你程序写详细先，我帮你分下下。{ ...

已经弄好了，谢啦，汤工